日本正加快重返全球半导体产业顶尖行列，北海道已成为该国芯片复兴运动的核心基地。这座以乳牛牧场、滑雪胜地和夏季花田闻名的岛屿，如今迎来全球最具野心的芯片制造项目之一——由政府资助的Rapidus芯片厂，目标是在大规模生产2纳米逻辑芯片方面实现突破。
东京方面已承诺向Rapidus投入约120亿美元资金，这仅是“半导体补贴”大盘以外的部分投入。同时，Toyota、SoftBank和Sony等本土巨头也纷纷加入支持行列。日本经济产业省已正式认定Rapidus为官方业务运营商，这是该公司获取私人投资与金融机构资金的重要一步。Rapidus计划在2027年启动2纳米逻辑半导体大规模量产，并已开始筹备来自私人投资者的资金。
新厂区命名为“IIM-1（创新集成制造）”，选址于千岁市，紧邻新千岁机场，距离札幌市通勤可达，位于Bibi World工业园区。选址主要看重其稳定的水电供应设施，并且相较日本其他候选地，地震风险较低——对于高度敏感的光刻设备来说，这点至关重要。Rapidus行政总裁小池淳义表示，工厂外观将覆盖草皮，与北海道田园景观融为一体。
Rapidus今年稍早宣布已成功试制2纳米级环栅（GAA）晶体管，这项成就得益于与IBM合作，以及引入IBM纳米片制程知识产权。目前仅台积电和Samsung在这一制程领域展示过类似能力，而Intel则采用不同发展路线，将直接从7纳米跃升至约1.8纳米，未设置2纳米节点过渡。小池淳义表示Rapidus以“前所未有的速度”在日本首次实现2纳米原型芯片，这归功于与IBM的伙伴关系。Rapidus已与美国客户IBM和Tenstorrent完成合作，预计2026年起开始原型芯片设计。
Rapidus已在IIM-1工厂安装ASML最新极紫外（EUV）光刻机，成为日本首家在先进逻辑制造中部署此级别设备的企业。这台设备满负荷时每小时可加工数百片芯片，内部集成高功率光源、精密光学组件和超高速芯片平台。将该设备投入使用，需在工厂建设、无尘室准备及设备交付方面实现高度协同，严格满足EUV运行所需的温度、湿度与洁净度规范。
在生产端，Rapidus采用与大多数成熟工厂不同的制程架构，计划所有前段工序均在单片芯片设备上运行，而非普遍采用的批次／单片混合式。即每片芯片独立经历沉积、蚀刻、清洗等环节，便于工程师即时调整参数，并于各层收集高分辨率度数据。这种数据驱动流程有助于降低缺陷密度、加快良率提升，Rapidus认为可缩短从流片到认证量产的周期，并创建“快速回应与个性化制造”卖点，而非直接与大型代工厂比拼产能。
Rapidus也同步建设封装生态系统。在千岁市附近，Seiko Epson的设施中部署RCS（后端试产线），用于开发再分布层中介板、芯粒集成及3D封装制程。这些技术将在2027年过渡到IIM-1后端生产线，使其实现从晶体管制造到先进封装及测试的一体化产业链，形成“优质已知良品”的组装体系。
虽然政治层面干劲十足，外界对其结构性障碍依然抱有疑虑。东盟+3宏观经济研究办公室预计，Rapidus当前资金距离实现2纳米大规模量产所需约5兆日元仍有较大缺口。美国战略与国际问题研究中心分析师也指出，Rapidus在先进制造领域尚无实绩，且对IBM转让的技术依赖较大，远不及台积电与Samsung多年沉淀下的深厚制程积累。
Rapidus计划在2027财政年度于北海道启动第二座工厂建设，生产1.4纳米芯片，最快于2029年开始量产。这将缩小与台积电的竞争差距——台积电计划在2028年开始1.4纳米量产，Samsung则以2027年为目标。日本计算机大厂Fujitsu正考虑与Rapidus合作，在2029年使用1.4纳米制程生产代号“MONAKA-X”的下一代超级计算机CPU。
台积电计划在2025年下半年开始2纳米芯片量产，月产能预计在2025年底达到40,000片芯片，2026年底提升至100,000片。Samsung也瞄准2025年下半年开始2纳米芯片生产，并已获得日本AI初创公司Preferred Networks的2纳米AI芯片订单。Rapidus这场转型之战结果充满不确定性：既要让业内首批新型工厂顺利投产，也需将海外研发的复杂制程配方实现本土转移，将2纳米良率做到可商用水准，同时吸引稳定客户，并验证其“单片芯片+AI智能”生产模式能否显著缩短生产周期。
数据源：Business Standard
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